| 货号 | 操作 | 名称 | 描述 | 光谱响应 | 响应度 | ||
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E80042039 | InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 （内置TEC制冷型）[PDF] | 光谱响应范围0.9~1.7μm；响应度 @1550nm： 0.85 A/W; 6针TO8 封装；SMF-28E 光纤耦合；FC/APC； 带 TCE | 900-1700nm | @1550nm 0.85 A/W | 价格 : 请联系客服库存/货期:请咨询客服
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| 图片 | 名称 | 货号货期 | 描述 | 参数 | 价格 |
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InGaAs盖革模式雪崩光电二极管 （内置TEC制冷型）[PDF] | E80042039 |
光谱响应范围0.9~1.7μm；响应度 @1550nm： 0.85 A/W; 6针TO8 封装；SMF-28E 光纤耦合；FC/APC； 带 TCE | 光谱响应: 900-1700nm 响应度: @1550nm 0.85 A/W |
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InGaAs 雪崩光电二极管（APD）是短波近红外单 光子检测的专用器件，可满足量子通信、弱光探测等领 域对高效率低噪声单光子检测的技术需求，实现对0.9 ~ 1.7μm波长的单光子探测。
●光谱响应范围0.9~1.7μm
●高探测效率、低暗计数率
●6 pin TO8
●弱光探测
●量子保密通信
●生物医疗
线性模式参数
产品型号 |
IGA-APD-GM104-TEC |
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参数 |
符号 |
单位 |
测试条件 |
最小 |
典型 |
最大 |
反向击穿电压 |
VBR |
V |
22℃±3℃ ，ID =10μA |
60 |
80 |
90 |
响应度 |
Re |
A/W |
22℃±3℃，λ =1550nm ，M =1 |
0.8 |
0.85 |
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暗电流 |
ID |
nA |
22℃±3℃，M =10 |
0.1 |
0.3 |
|
电容 |
C |
pF |
22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz |
0.25 |
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击穿电压温度系数 |
η |
V/K |
-40℃ ~80℃，ID=10μA |
0.15 |
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盖革模式参数
参数 |
单位 |
测试条件 |
最小 |
典型 |
最大 |
单光子探测效率 PDE |
% |
-45℃ ，λ =1550nm ，0.1ph/pulse，泊松分布单光子源 |
20 |
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暗计数率 DCR |
kHz |
-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% |
20* |
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后脉冲概率 APP |
-45℃，1ns门宽，2MHz门控重频，1MHz光重频，PDE=20% |
1× 10-3 |
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时间抖动Tj |
ps |
-45℃，1ns 门宽，2MHz门控重频，PDE=20% |
100 |
* 可提供不同等级规格产品
室温IV曲线
DCR-PDE(-45℃, fg=2MHz)
温度系数
电容电压
封装外形、尺寸及引脚定义 TO8 （尾纤封装）
营业执照
